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美研制出全新碳基半導體“一氧化石墨烯”

關鍵詞 石墨烯 , 一氧化石墨烯 , 碳基半導體|2012-04-23 09:50:13|來源 科技日報
摘要 石墨烯的導電、導熱性能極強,遠超硅和其他傳統(tǒng)的半導體材料,而由硅制成的晶體管的大小正接近極限,科學家們認為,納米尺度的碳材料可能是“救命稻草”,石墨烯未來有...

  石墨烯的導電、導熱性能極強,遠超硅和其他傳統(tǒng)的半導體材料,而由硅制成的晶體管的大小正接近極限,科學家們認為,納米尺度的碳材料可能是“救命稻草”,石墨烯未來有望取代硅成為電子元件材料。

  但因其太昂貴而無法大規(guī)模生產(chǎn),目前石墨烯的應用非常有限,且迄今與石墨烯有關的材料僅以導體或絕緣體的形式而存在。

  該研究團隊的成員、力學工程教授陳俊鴻(音譯)表示:“石墨烯研究領域的主要驅(qū)動力之一是使這種材料成為半導體,我們通過對石墨烯進行化學改性得到了新材料GMO。GMO展示出的特性表明,它比石墨烯更容易大規(guī)模生產(chǎn)。”

  該團隊在研究陳俊鴻研制出的一種混合納米材料時,無心插柳得到了GMO。

  起初,他們的研究對象是一種由碳納米管(將石墨烯卷成圓柱狀得到)組成的、表面飾有氧化錫納米粒子的混合納米材料,陳俊鴻用這種混合材料制造出了高性能、高效率而廉價的傳感器。

  為了更好地了解這種混合材料的性能,科學家們需要想方設法讓石墨烯變身為其“堂兄弟”——能大規(guī)模廉價生產(chǎn)的絕緣體氧化石墨烯(GO)。GO由石墨烯不對齊地堆疊而組成。實驗中,陳俊鴻和物理學教授馬瑞加·加達得茲斯卡在真空中將GO加熱以去掉氧。然而,GO層中的碳和氧原子沒有被破壞而是變得排列整齊,變成了有序的、自然界并不存在的半導體GMO。

  研究人員埃里克·馬特森說:“我們認為氧會離開,留下多層石墨烯,但結果卻并非如此,讓我們很吃驚。”

  加達得茲斯卡表示,因為GMO是單層形式,因此其或許可應用于與表面催化有關的產(chǎn)品中。他們正在探索其在鋰離子電池陽極的用途,GMO有可能提升鋰離子陽極的效能。

  該研究團隊接下來需要了解什么觸發(fā)了這種材料的重組以及什么環(huán)境會破壞GMO的形成。威斯康辛大學米爾沃基分校表面研究實驗室的主任邁克爾·梅韋納說:“還原反應會去除氧,但實際上,我們獲得了更多氧,因此,我們需要了解的事情還有很多。”

  梅韋納指出,目前他們僅在實驗室小規(guī)模制造出了GMO,并不確定在大規(guī)模制造過程中會遇到什么問題。

 

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