申請(qǐng)?zhí)枺?01610040882.3
　　申請(qǐng)人：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所
　　發(fā)明人：鄭磊 劉華榮 王俊聽(tīng) 羅婷婷 李藝晶

　　摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種金剛石射線靶、制備方法及應(yīng)用，包括金剛石片、窗口封接環(huán)和薄膜陽(yáng)極，所述金剛石片通過(guò)焊料焊接在窗口封接環(huán)上，所述薄膜陽(yáng)極沉積在金剛石片朝向電子束的一面。在窗口封接環(huán)上開(kāi)設(shè)連接孔，連接孔的兩端為臺(tái)階面，將焊料放入臺(tái)階面，再將金剛石片放入臺(tái)階面上，焊接過(guò)程中確保金剛石壓緊焊接在窗口封接環(huán)上；焊接后，將金剛石片以外的部分擋住，在金剛石朝向電子束的一面沉積薄膜陽(yáng)極。通過(guò)優(yōu)化鍍膜工藝和焊接工藝，使透射式X射線管金剛石窗口、薄膜陽(yáng)極、散熱層三者之間具有良好的熱力學(xué)接觸性能，可提高微焦點(diǎn)X射線管連續(xù)使用時(shí)的可靠性。

　　主權(quán)利要求：1.一種金剛石射線靶，其特征在于，包括金剛石片、窗口封接環(huán)和薄膜陽(yáng)極，所述金剛石片通過(guò)焊料焊接在窗口封接環(huán)上，所述薄膜陽(yáng)極沉積在金剛石片朝向電子束的一面。
　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金剛石射線靶，其特征在于，所述窗口封接環(huán)上開(kāi)設(shè)連接孔，所述連接孔的兩端為臺(tái)階面，所述金剛石片的端部放置在所述臺(tái)階面上并通過(guò)焊料焊接在所述臺(tái)階面上。
　　3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金剛石射線靶，其特征在于，所述射線靶還包括散熱層，所述散熱層鍍膜于所述薄膜陽(yáng)極朝向電子束的一面。
　　4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金剛石射線靶，其特征在于，所述薄膜陽(yáng)極的厚度為1～10μm，所述金剛石的厚度為0.05～0.3mm。
　　5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金剛石射線靶，其特征在于，所述金剛石片為化學(xué)氣相沉積法制備得到，所述薄膜陽(yáng)極朝向電子束的一面為所述金剛石片的成核面。
　　6.一種如權(quán)利要求1所述的金剛石射線靶的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：(1)在窗口封接環(huán)上開(kāi)設(shè)連接孔，連接孔的兩端為臺(tái)階面，將焊料放入臺(tái)階面，再將金剛石片放入臺(tái)階面上，焊接過(guò)程中確保金剛石壓緊焊接在窗口封接環(huán)上；(2)焊接后，將金剛石片以外的部分擋住，在金剛石朝向電子束的一面沉積薄膜陽(yáng)極。
　　7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種金剛石射線靶的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括步驟(3)，在薄膜陽(yáng)極上朝向電子束的一面上鍍膜散熱層。
　　8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種金剛石射線靶的制備方法，其特征在于，所述薄膜陽(yáng)極選自鎢、鉬、無(wú)氧銅或金中的任一種材料制備而成。
　　9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種金剛石射線靶的制備方法，其特征在于，所述焊接方式為真空釬焊或氬氣保護(hù)釬焊，焊料選自銀、銅、鈦、金的一種或多種。
　　10.一種金剛石射線靶在透射式微焦點(diǎn)X射線管中的應(yīng)用。