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美國研發(fā)出金剛石/氮化硼晶體層可用于高功率器件

近日,北卡羅來納州立大學(xué)的材料研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種對新技術(shù),將金剛石沉積在立方體氮化硼表面(c-BN),結(jié)合成一個(gè)新的單晶體結(jié)構(gòu)。“這種材料可以

日期 2016-05-31   
新技術(shù)突破改善碳化硅功率器件

新技術(shù)突破改善碳化硅功率器件

日本東京大學(xué)近日研發(fā)新型碳化硅絕緣薄膜生長技術(shù),極大地改善了碳化硅功率器件的性能。高性能功率器件常用在高壓、大電...

日期 2014-08-11   

專利:一種金剛石器件的制備方法

申請?zhí)枺?01410107135.8申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所摘要:本發(fā)明公開了一種金剛石器件的制備方法,涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。包括以下步驟(1)在有導(dǎo)...

日期 2014-08-05   
“單晶金剛石及其電子器件國際研討會(huì)暨2014第四屆中國真空高層論壇”在西安隆重召開

“單晶金剛石及其電子器件國際研討會(huì)暨2014第四屆中國真空高層論壇”在西安隆重召開

6月12-15日,由中國真空學(xué)會(huì)、西安交通大學(xué)、陜西省科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)、中國真空網(wǎng)和陜西省真空學(xué)會(huì)聯(lián)合主辦的“單晶金...

日期 2014-06-27   
單晶金剛石及其電子器件國際研討會(huì)隆重召開

單晶金剛石及其電子器件國際研討會(huì)隆重召開

6月12-15日,由西安交通大學(xué)、中國真空學(xué)會(huì)、陜西省科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)和陜西省真空學(xué)會(huì)聯(lián)合主辦,西安交通大學(xué)寬禁帶半...

日期 2014-06-17   
單晶金剛石及其電子器件泛太平洋國際研發(fā)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟正式成立

單晶金剛石及其電子器件泛太平洋國際研發(fā)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟正式成立

6月14日,按照“自愿、平等、合作”的原則,西安交通大學(xué)、早稻田大學(xué)、日本國立物質(zhì)材料研...

日期 2014-06-17   

一種太赫茲波段真空器件用的金剛石輸能窗片及其制造方法

申請?zhí)枺?01410011479申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第十二研究所摘要:一種太赫茲真空器件用的金剛石輸能窗片及其制造方法,屬于真空電子器件領(lǐng)域,該金剛石輸能窗片結(jié)...

日期 2014-05-13   

電子器件基片加工專用多線切割裝備系列化研制與產(chǎn)業(yè)化

完成單位:湖南宇晶機(jī)器股份有限公司,湖南大學(xué),湘潭大學(xué),溫州大學(xué)完成人員:戴瑜興、張義兵、熊萬里、蔣近、周志雄、全惠敏、楊宇紅、鄭崇偉、蔡國安、劉春陵、王環(huán)、楊輝煌&

日期 2014-04-25   

中國實(shí)現(xiàn)碳化硅大功率器件批量生產(chǎn)

中國首次實(shí)現(xiàn)碳化硅大功率器件的批量生產(chǎn),在以美、歐、日為主導(dǎo)的半導(dǎo)體領(lǐng)域形成突破。業(yè)內(nèi)專家指出,這一突破有望緩解中國的能源危機(jī)。泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司G2S...

日期 2014-01-22   
蘇州納米所石墨烯高靈敏一氧化氮傳感器件研究取得新成果

蘇州納米所石墨烯高靈敏一氧化氮傳感器件研究取得新成果

石墨烯(Graphene)是由單層碳原子構(gòu)成蜜蜂窩形式的二維納米結(jié)構(gòu),具有大的比表面積和良好的載流子傳導(dǎo)性能,預(yù)...

日期 2011-12-24   

射頻功率碳化硅場效應(yīng)晶體管的互連方法和器件

名稱射頻功率碳化硅場效應(yīng)晶體管的互連方法和器件公開號(hào)1359535公開日2002.07.17主分類號(hào)H01L21/6

日期 2010-12-24   

碳化硅水平溝道緩沖柵極半導(dǎo)體器件

名稱碳化硅水平溝道緩沖柵極半導(dǎo)體器件公開號(hào)1308774公開日2001.08.15主分類號(hào)H01L29/24&nbs

日期 2010-12-23   

利用注入和橫向擴(kuò)散制造碳化硅功率器件的自對準(zhǔn)方法

名稱利用注入和橫向擴(kuò)散制造碳化硅功率器件的自對準(zhǔn)方法公開號(hào)1304551公開日2001.07.18主分類號(hào)H01L2

日期 2010-12-23   

通過受控退火制造碳化硅功率器件的方法

名稱通過受控退火制造碳化硅功率器件的方法公開號(hào)1304546公開日2001.07.18主分類號(hào)H01L21/04&n

日期 2010-12-23   

碳化硅半導(dǎo)體開關(guān)器件

名稱碳化硅半導(dǎo)體開關(guān)器件公開號(hào)1286805公開日2001.03.07主分類號(hào)H01L29/04

日期 2010-12-23   

碳化硅襯底上具有導(dǎo)電緩沖中間層結(jié)構(gòu)的Ⅲ族氮化物光子器件

名稱碳化硅襯底上具有導(dǎo)電緩沖中間層結(jié)構(gòu)的Ⅲ族氮化物光子器件公開號(hào)1278949公開日2001.01.03主分類號(hào)H0

日期 2010-12-23   

一種制造電子元器件金屬外殼用金剛石膜拉深模具

名稱一種制造電子元器件金屬外殼用金剛石膜拉深模具公開號(hào)2429278公開日2001.05.09主分類號(hào)B21D37/

日期 2010-12-23   

碳化硅與氮化鎵間的緩沖結(jié)構(gòu)及由此得到的半導(dǎo)體器件

名稱碳化硅與氮化鎵間的緩沖結(jié)構(gòu)及由此得到的半導(dǎo)體器件公開號(hào)1137331公開日1996.12.04主分類號(hào)H01L33/

日期 2010-12-23   

磁記錄媒體器件的經(jīng)氟化處理的類金剛石碳保護(hù)覆層

名稱磁記錄媒體器件的經(jīng)氟化處理的類金剛石碳保護(hù)覆層公開號(hào)1332446公開日2002.01.23主分類號(hào)G11B5/

日期 2010-12-16   

磁記錄媒體器件的經(jīng)氟化處理的類金剛石碳保護(hù)覆層

名稱磁記錄媒體器件的經(jīng)氟化處理的類金剛石碳保護(hù)覆層公開號(hào)1155140公開日1997.07.23主分類號(hào)G11B5/

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2023年9月20日,時(shí)隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會(huì)在鄭州國際會(huì)展中心隆重開幕。本次展覽會(huì)由中國機(jī)械工業(yè)集團(tuán)有限公司、國機(jī)精工股份有限公司、中國機(jī)械國際合作股份有限公司聯(lián)合主辦。旨在推動(dòng)中國磨料磨具行業(yè)的快速發(fā)展,加強(qiáng)國內(nèi)外企業(yè)的交流與合作。