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鄭州華晶金剛石股份有限公司

有研集團:利用金剛石/銅復合材料使傳熱系數(shù)提高3倍

關鍵詞 有研集團|2025-05-16 13:51:31|來源 中國電子材料行業(yè)協(xié)會
摘要 近日,有研集團有限公司有色金屬與加工國家重點實驗室孫明美、郭宏團隊以DC、鉬銅等低線性膨脹材料為基材,創(chuàng)新性地制作了三種結構功能一體化開放式微通道熱沉(DC60、DC75、MoCu...

       近日,有研集團有限公司有色金屬與加工國家重點實驗室孫明美、郭宏團隊以DC、鉬銅等低線性膨脹材料為基材,創(chuàng)新性地制作了三種結構功能一體化開放式微通道熱沉(DC60、DC75、MoCu50),以去離子水為操作流體進行流動沸騰實驗,結合可視化技術研究其傳熱特性。結果表明,沸騰過程中,在高熱導率網(wǎng)絡的影響下,金剛石/Cu微通道表面比MoCu50微通道具有更多的成核位點,使得成核沸騰成為相變傳熱過程的主導,大大提高了傳熱效率。 DC75在最高熱流密度q" = 4012.14 kW/m 時仍保持絕對優(yōu)勢,與MoCu50相比,DC75傳熱系數(shù)提高了3倍,峰值為127.48 kW/m K,且未出現(xiàn)干涸現(xiàn)象,底部溫度最低,變形量最小,熱穩(wěn)定性強。在段塞流向分層流轉變過程中,出現(xiàn)了段塞流-分層流的協(xié)同作用,兩種流型共存導致壓降只有小規(guī)模波動,最大壓降不超過3.5 kPa。研究成果以“Subcooled flow boiling in diamond/Cu microchannel heat sinks for near-junction chip cooling”為題發(fā)表在《Case Studies in Thermal Engineering》期刊。

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       據(jù)悉,熱量的積累對設備的可靠性和使用壽命構成了重大威脅,高功率芯片的熱管理問題日益突出。芯片級微通道冷卻已經(jīng)受到了廣泛的研究關注,結構和功能的集成設計可以減少芯片封裝的熱阻并加速散熱,然而,這也對結構的可靠性和運行穩(wěn)定性提出了更高的要求。大多數(shù)微通道散熱器由鋁/銅制成,與半導體芯片的熱膨脹系數(shù)有顯著差異。因此,在芯片封裝過程中需要引入熱界面層(熱基板)以便于過渡,這一要求可能導致芯片封裝內整體熱阻的增加。相比之下,用于熱管理的金屬基復合材料可以更好地與第三代半導體材料匹配,提供更好的熱管理性能。目前已經(jīng)開發(fā)了四代熱管理材料,從合金發(fā)展到金屬復合材料,再到鋁基復合材料,第四代由金剛石和金屬的復合材料代表。金剛石具有卓越的熱導率,從2200W/mK到2600W/mK,并且具有低熱膨脹系數(shù)。通過將其與高熱導率金屬Cu結合,已經(jīng)開發(fā)出用于熱管理的金剛石/銅復合材料(DC),具有降低的熱膨脹系數(shù)和優(yōu)越的熱導率。具有低線性熱膨脹系數(shù)和高熱導率的熱管理材料可以實現(xiàn)芯片的“近結冷卻”,而最新一代金剛石/銅(DC)復合材料在微通道相變散熱中的應用研究有限。

 

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