1月17日，工業(yè)和信息化部發(fā)布關(guān)于組織開展2025年未來產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新任務(wù)揭榜掛帥工作的通知。通知顯示，將面向量子科技、原子級制造、清潔氫3個(gè)未來產(chǎn)業(yè)，布局一批核心基礎(chǔ)、重點(diǎn)產(chǎn)品、公共支撐、示范應(yīng)用創(chuàng)新任務(wù)，發(fā)掘培育一批掌握關(guān)鍵核心技術(shù)、具備較強(qiáng)創(chuàng)新能力的優(yōu)勢單位，突破一批標(biāo)志性技術(shù)產(chǎn)品，加速新技術(shù)、新產(chǎn)品落地應(yīng)用。

      其中在原子級制造揭榜掛帥任務(wù)榜單中涉及原子級超光滑金剛石表面制造、超硬金剛石團(tuán)簇離子束原子級拋光裝備、大徑厚比金剛石光學(xué)窗口等內(nèi)容。

原子級制造揭榜掛帥任務(wù)榜單（金剛石相關(guān)部分）

      二、重點(diǎn)產(chǎn)品

      （一）多場輔助化學(xué)機(jī)械原子級拋光裝備

      揭榜任務(wù)：面向半導(dǎo)體襯底原子尺度拋得光、納米尺度拋得平、微米尺度拋得快的高質(zhì)高效加工需求，研究電、光、聲、等離子體等多場輔助化學(xué)機(jī)械原子級去除工藝，突破多場輔助協(xié)同調(diào)控、超低壓力分區(qū)加壓、測量反饋智能控制等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)多場輔助化學(xué)機(jī)械拋光裝備，實(shí)現(xiàn)原子級精度拋光，滿足半導(dǎo)體襯底應(yīng)用需求。

      預(yù)期目標(biāo)：到2026年，研制模塊化的多場輔助化學(xué)機(jī)械原子級拋光裝備，可以集成電、光、聲、等離子體等多場，拋光壓力調(diào)控精度0.1psi，拋光壓力分區(qū)數(shù)量6個(gè)，利用該設(shè)備對單晶硅襯底進(jìn)行拋光，表面起伏小于10個(gè)原子層，滿足先進(jìn)制程需求。

      （二）高效團(tuán)簇離子束原子級拋光裝備的研發(fā)及在大徑厚比金剛石光學(xué)窗口的加工應(yīng)用

      揭榜任務(wù)：面向高功率激光系統(tǒng)、中長波紅外探測器等對原子級表面精度的金剛石窗口需求，突破氣體原子團(tuán)簇束流中和關(guān)鍵技術(shù)，建立原子級超光滑金剛石表面制造方法，研制超硬金剛石團(tuán)簇離子束原子級拋光裝備，實(shí)現(xiàn)大徑厚比金剛石光學(xué)窗口的原子級制造，并應(yīng)用驗(yàn)證。

      預(yù)期目標(biāo)：到2026年，高性能、低成本的束流中和器自主可控，具有較高的中和效率，對Ar100團(tuán)簇中和效率>50%，研制金剛石材料團(tuán)簇離子束原子級拋光裝備，建立金剛石光學(xué)窗口納米級精度及原子級表面質(zhì)量制造工藝，加工金剛石光學(xué)窗口直徑≥75mm、徑厚比≥100、表面面形精度PV≤λ/4、表面粗糙度Ra≤1nm，設(shè)備支持Ar/SF6等多種氣體團(tuán)簇離子束、束流強(qiáng)度≥100μA、團(tuán)簇束斑直徑0.5-10mm可調(diào)、團(tuán)簇離子能量≥60keV，能夠支撐3英寸級金剛石光學(xué)窗口原子級可控制造。