早稻田大學(xué)和 Power Diamonds Systems (PDS) 開(kāi)發(fā)了一種結(jié)構(gòu)，其中金剛石表面覆蓋有氧化硅終端（C-Si-O 終端），當(dāng)柵極電壓為 0V 時(shí)，該結(jié)構(gòu)會(huì)關(guān)閉晶體管。為此他們宣布開(kāi)發(fā)出一種“常關(guān)”鉆石 MOSFET。

       該成果由Hiroshi Kawarada教授、FU Yu、Norito Narita、Xiahua Zhu、早稻田大學(xué)兼職教授Atsushi Hiraiwa、PDS的Kosuke Ota、PDS聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Tatsuya Fujishima等人貢獻(xiàn)。詳細(xì)信息已于 12 月 13 日在半導(dǎo)體器件/工藝技術(shù)國(guó)際會(huì)議 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM 2023) 上公布。

       MOSFET是一種MOS結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，具有高速、低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓的特點(diǎn)，特別適合作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)的開(kāi)關(guān)元件，高速開(kāi)關(guān)大電流等已經(jīng)完成。

       關(guān)于被稱(chēng)為終極功率半導(dǎo)體材料的金剛石半導(dǎo)體，世界各地都在進(jìn)行使用氫端接（CH）結(jié)構(gòu)的金剛石MOSFET的研究和開(kāi)發(fā)，但由于2DHG，導(dǎo)致即使柵極電壓為0V晶體管也導(dǎo)通的“常開(kāi)”操作，并且不可能實(shí)現(xiàn)晶體管截止的常關(guān)狀態(tài)當(dāng)柵極電壓為0V時(shí)。

       因此，如果將常開(kāi)型器件應(yīng)用于電力電子器件，當(dāng)器件停止正常工作時(shí)，將無(wú)法安全地停止該器件，因此需要實(shí)現(xiàn)常關(guān)型操作。在此背景下，PDS和早稻田大學(xué)研究小組發(fā)現(xiàn)，由于高溫氧化，覆蓋金剛石表面的氫原子的C-H鍵轉(zhuǎn)變?yōu)镃O鍵，該表面成為電子缺陷，導(dǎo)致其性能惡化。該公司一直致力于通過(guò)改進(jìn)這一點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn) FET 的穩(wěn)定運(yùn)行。

       在這項(xiàng)研究中，我們采用了一種器件結(jié)構(gòu)，其中金剛石表面具有氧化硅（C-Si-O）鍵，而不是傳統(tǒng)的CO-Si鍵。結(jié)果，p溝道MOSFET的空穴遷移率為150cm 2 /V·s，高于SiC n溝道MOSFET的電子溝道遷移率，常關(guān)操作的信號(hào)閾值電壓為3 ?5V，這是傳統(tǒng)金剛石半導(dǎo)體無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，據(jù)說(shuō)是可以防止意外傳導(dǎo)（短路）的值。

       此外，PDS對(duì)水平氧化硅端接金剛石MOSFET的最大漏極電流超過(guò)300 mA/mm，垂直氧化硅端接金剛石MOSFET的最大漏極電流超過(guò)200 mA/mm。據(jù)說(shuō)這是該系列中常關(guān)金剛石 MOSFET 的最高值。

       兩家公司均聲稱(chēng)，通過(guò)用C-Si-O鍵覆蓋其表面，它們已成為比傳統(tǒng)CH表面更耐高溫和更耐氧化的穩(wěn)定器件，該公司認(rèn)為其可用性使其適合大規(guī)模生產(chǎn)。為此，川原田教授認(rèn)為，易于在社會(huì)上實(shí)現(xiàn)的金剛石功率半導(dǎo)體已經(jīng)實(shí)現(xiàn)，PDS將繼續(xù)加強(qiáng)金剛石MOSFET的研發(fā)，以期金剛石半導(dǎo)體的普及和實(shí)用化。他們的目標(biāo)是開(kāi)發(fā)一種適合大規(guī)模生產(chǎn)的器件工藝，并以更簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)更高的耐壓性。