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第十屆新型金剛石與納米碳材料國際學(xué)術(shù)會議在西安召開

關(guān)鍵詞 金剛石 , 納米碳材料 , 國際學(xué)術(shù)會議|2016-06-03 14:34:17|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 2016年5月22日-26日,由國際NDNC執(zhí)行委員會、西安交通大學(xué)、中國真空學(xué)會、陜西省科學(xué)技術(shù)協(xié)會、陜西省真空學(xué)會、單晶金剛石及其電子器件泛太平洋國際研發(fā)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聯(lián)合主辦,西...
  2016年5月22日-26日,由國際NDNC執(zhí)行委員會、西安交通大學(xué)、中國真空學(xué)會、陜西省科學(xué)技術(shù)協(xié)會、陜西省真空學(xué)會、單晶金剛石及其電子器件泛太平洋國際研發(fā)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聯(lián)合主辦,西安交通大學(xué)、陜西省真空學(xué)會、西安電子科技大學(xué)、蘇州大學(xué)和單晶金剛石及其電子器件泛太平洋國際研發(fā)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟共同承辦第10屆新型金剛石與納米碳材料國際學(xué)術(shù)會議(NDNC2016)在西安召開。
       有來自不同國家和地區(qū)的350余位專家和學(xué)者參加此次國際研討會。此次國際研討會由光電子學(xué)專家侯洵院士、半導(dǎo)體專家王占國院士、固體潤滑專家薛群基院士、超硬材料專家鄒廣田院士、寬禁帶半導(dǎo)體專家郝躍院士和材料化學(xué)和物理專家李述湯院士擔任大會名譽主席。大會主席由西安交通大學(xué)國家“千人計劃”特聘專家、陜西省真空學(xué)會常務(wù)理事長王宏興教授擔任。國際金剛石專家、美國科學(xué)院、美國工程院、美國藝術(shù)與科學(xué)院“三院”院士David Awschalom教授給大家展示了其研究團隊在金剛石自旋半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的研究成果。西安交通大學(xué)校長王樹國出席并致歡迎詞。
       新型金剛石與納米碳材料國際學(xué)術(shù)會議(NDNC)是由兩個的國際會議(應(yīng)用金剛石會議ADC與金剛石新科技國際研討會ICNDST)合并而成,于2006年在日本正式召開第一屆會議。經(jīng)過十余年的發(fā)展,該研討會已經(jīng)發(fā)展成為國際金剛石與碳材料領(lǐng)域的級學(xué)術(shù)會議之一。本次會議會期為四天,共安排1場諾貝爾獎獲得者的大會特邀(Penary)報告,6場大會邀請(Keynote)報告,44個左右的分會邀請(Invited Speaker)報告,132個口頭學(xué)術(shù)報告(Oral)和256個展板報告(Poster)。此外,十多家公司與儀器廠商同時舉辦相關(guān)展示。

       超寬禁帶半導(dǎo)體金剛石集電學(xué)、光學(xué)、力學(xué)、聲學(xué)、機械和熱學(xué)等優(yōu)異特性于一體,在高溫、高效、超大功率微波毫米波電子器件,電力電子器件,生物傳感器,光電探測與成像,粒子探測與成像,航空航天,微機械,量子通信與成像單光子源等系統(tǒng)方面有著極其重要的應(yīng)用前景,被業(yè)界譽為“半導(dǎo)體”。金剛石電子器件相比其他半導(dǎo)體器件還具有體積小、集成度高和無需制冷的優(yōu)勢。在節(jié)能減排、打造綠色地球方面將發(fā)揮其獨特的優(yōu)勢,將引發(fā)新一輪半導(dǎo)體技術(shù)的革命。金剛石基超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件的研究和開發(fā)已成為當今世界工業(yè)和科技強國競相占領(lǐng)的高科技制高點,是半導(dǎo)體科學(xué)、材料科學(xué)、高溫電子學(xué)、兆瓦級固態(tài)電子學(xué)、超大功率密度微波、毫米波電子學(xué)的前沿研究領(lǐng)域。
       此次會議為單晶金剛石材料、電子器件、金剛石單晶生長設(shè)備等相關(guān)領(lǐng)域的專家、學(xué)者、技術(shù)人員及企業(yè)家等提供了學(xué)術(shù)交流平臺,加強國內(nèi)外同行及企業(yè)家之間的相互了解和合作,共同促進國際單晶金剛石材料及其電子器件行業(yè)及相關(guān)行業(yè)的蓬勃發(fā)展。通過國內(nèi)外各相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者的交流,展示了世界新型超寬禁帶半導(dǎo)體及其新型碳材料研究領(lǐng)域的進展,新的實驗方法和理論,進一步凝煉關(guān)鍵科學(xué)問題,歸納基本規(guī)律,提供理論依據(jù)和實驗方法,全面推動以先進碳材料為基礎(chǔ)的跨學(xué)科、跨領(lǐng)域的深入實質(zhì)性的合作,促進我國單晶金剛石半導(dǎo)體材料及其電子器件研究平臺的建設(shè),并且通過共同努力,推動國際單晶金剛石及其電子器件研究的進步和發(fā)展,拓展該類先進電子材料與器件的應(yīng)用與成果轉(zhuǎn)化。
       與會專家一致認為單晶金剛石要步入半導(dǎo)體大門,應(yīng)重點突破高質(zhì)量大面積單晶金剛石晶圓和電子器件級單晶金剛石薄膜的生長技術(shù),這是單晶金剛石摻雜和走向應(yīng)用的重要基礎(chǔ)。此外,單晶金剛石的缺陷特性、摻雜、載流子輸運調(diào)控及歐姆接觸和肖特基接觸也是單晶金剛石正式邁入半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域的準入證。同時,應(yīng)將強金剛石與其他半導(dǎo)體形成異質(zhì)結(jié)和異構(gòu)結(jié)構(gòu)方面的研究,開辟金剛石基半導(dǎo)體在能帶工程和量子器件領(lǐng)域的新應(yīng)用。
 

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