近日，應用物理學報發(fā)表了一篇低溫生長金剛石薄膜的新方法，這為未來電子設備新應用又打開了一扇新的大門。
        在工業(yè)和高技術設備應用中，金剛石以其卓越的硬度、光學透明性、平滑性，以及對化學腐蝕、輻射和電場的阻抗性而備受關注。近年來，研究者將半導體硼介入到金剛石生產(chǎn)工藝中，通過鍍附從而使金剛石具有傳導性。過去，制備金剛石鍍附薄膜所需的高溫條件容易損壞非常敏感的電子器件，諸如生化傳感器，半導體和光子光學設備；而在電子器件中通過摻金剛石鍍層使得電子設備具備類金剛石特性則更是難上加難。

        來自美國伊利諾斯州Advanced Diamond Technologies公司的一個研究團隊，近日研制出低溫（460-600℃）下生長摻硼金剛石薄膜，并成功將其鍍附在許多電子設備上。

        盡管低溫沉積生長摻硼金剛石薄膜的方法并不是最新的技術概念，但研究者們并未在現(xiàn)有技術和文獻中找到質(zhì)量上乘且商用生產(chǎn)效率高的方法。因此，他們通過降低溫度并調(diào)整甲烷和氫氣比例的方法，成功研制出了高質(zhì)量的金剛石薄膜；且薄膜的傳導性和平滑性等特性跟高溫下生長出的薄膜相比，均未出現(xiàn)明顯變化。

        鑒于此，科學家們還想進一步優(yōu)化該方法，期望能夠在低于400℃的低溫下沉積出摻硼金剛石薄膜。

      "沉積溫度越低，我們能夠應用的電子設備就越多。"Hongjun Zeng 如是說，"這將使得電子產(chǎn)品類型向超薄、光滑、傳導性好的金剛石鍍附方向發(fā)展。"

        該研究發(fā)表在應用物理學報上，作者為 Hongjun Zeng，Prabhu U. Arumugam，Shabnam Siddiqui 和 John A. Carlisle。

         研究得到了Advanced Diamond Technologies公司和阿貢國家實驗室的支持。（編譯自Science Daily:'Low Temperature Boron Doped Diamond'  翻譯：王現(xiàn))