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在顆粒上包覆金剛石樣碳的方法與設(shè)備

關(guān)鍵詞 包覆 , 金剛石 , 樣碳 , 方法 , 設(shè)備 |2010-12-10 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱在顆粒上包覆金剛石樣碳的方法與設(shè)備公開號1279729公開日2001.01.10主分類號C23C16/44&nb

 

名稱 在顆粒上包覆金剛石樣碳方法與設(shè)備 
公開號 1279729  公開日 2001.01.10   
主分類號 C23C16/44  分類號 C23C16/44 
申請?zhí)?/strong> 98811433.X   
分案原申請?zhí)?/strong>   申請日 1998.10.07   
頒證日   優(yōu)先權(quán) 1997.11.26 US 08/979,072 
申請人 美國3M公司    地址 美國明尼蘇達(dá)州  
發(fā)明人 M·M·戴維    國際申請 PCT.US98/21111 1998.10.7 
國際公布 WO99.27157 英 1999.6.3  進(jìn)入國家日期 2000.05.22  
專利代理機(jī)構(gòu) 上海專利商標(biāo)事務(wù)所    代理人 余穎   
摘要   本發(fā)明涉及一種金剛石樣碳包覆顆粒的制備方法,所述金剛石樣覆層可以包含其他組分。所述方法包括:在真空射頻電源電容耦合反應(yīng)器系統(tǒng)內(nèi)令眾多顆粒與碳等離子體接觸,在所述系統(tǒng)內(nèi),在電極周圍形成離子鞘,攪拌顆粒的方式使它們的表面與等離子體內(nèi)的反應(yīng)性物質(zhì)接觸,同時顆?;旧咸幱陔x子鞘內(nèi)。本發(fā)明的優(yōu)點在于:(i)以高沉積率在顆粒上有效沉積DLC,(ii)沉積致密的 DLC覆層;(iii)能夠在DLC沉積前用含氧和含氬等離子體通過離子轟擊原位進(jìn)行顆粒的表面清潔;和(iv)能夠在包覆過程中通過調(diào)整覆層的組成和離子轟擊的密度改變覆層的整體和表面性能?! ? 
 

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