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官方微信摘要 名稱含金剛石膜的ＳＯＩ集成電路芯片材料及其制作工藝公開號(hào)1109518公開日1995.10.04主分類號(hào)C30B25
| 名稱 | 含金剛石膜的ＳＯＩ集成電路芯片材料及其制作工藝 | ||
| 公開號(hào) | 1109518 | 公開日 | 1995.10.04 |
| 主分類號(hào) | C30B25/00 | 分類號(hào) | C30B25/00;H01L21/02 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 94103623.5 | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | ||
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請(qǐng)人 | 吉林大學(xué) | 地址 | 130023吉林省長(zhǎng)春市解放大路83號(hào) |
| 發(fā)明人 | 顧長(zhǎng)志; 金曾孫; 呂憲義; 鄒廣田 | 國(guó)際申請(qǐng) | |
| 國(guó)際公布 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 吉林大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人 | 王恩遠(yuǎn) |
| 摘要 | 本發(fā)明是含金剛石膜的ＳＯＩ集成電路芯片材料及制作工藝，其結(jié)構(gòu)按順序?yàn)閱尉Ч璞樱ǎ常ⅲ樱椋?-[２]過渡層(5)、金剛石膜(2)、多晶硅(4)。其工藝是在單晶硅片上逐層生長(zhǎng)ＳｉＯ#-[2]過渡層，金剛石膜和多晶硅，再對(duì)單晶硅片進(jìn)行減薄處理。生長(zhǎng)金剛石膜是以丙酮為原料氣體，減薄是機(jī)械拋光后使用離子束濺射技術(shù)。本發(fā)明不經(jīng)高溫區(qū)熔，工藝簡(jiǎn)單，可防止氧及雜質(zhì)滲入，單晶硅薄層質(zhì)量好；制作的集成電路具有抗輻射能力強(qiáng)、漏電小、性能穩(wěn)定、界面態(tài)密度低等優(yōu)點(diǎn)?！ ? | ||
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