申請人: 浙江大學
       發(fā)明人: 楊彬; 雷樂成; 李浩
       申請人地址: 浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號
       摘要： 本發(fā)明公開了一種采用熱絲化學氣相沉積法制備納米金剛石薄膜的方法。該方法僅以甲烷、氫氣為反應前驅體，無需加入其它惰性氣體，其中甲烷的含量須大于6％，熱絲溫度控制在2000℃以上；反應壓力控制在中等低壓條件均可，最大壓力甚至達到6kPa；襯底表面溫度在750～850℃范圍內為最優(yōu)選擇。采用該方法制備的納米金剛石薄膜，晶粒尺寸約為幾納米至幾十納米不等，薄膜生長速率大于500nm/h。本發(fā)明制備方法簡單，反應氣源單一，無需加入其它惰性氣體，沉積速率快，遠高于微波等離子體化學氣相沉積等方法，制得的納米金剛石薄膜質量高、分布均勻，且該方法非常適合大面積的金剛石薄膜。
       主權利要求
       1.一種納米金剛石薄膜的制備方法，其特征在于，包括：以甲烷和氫氣的混合氣體作為反應前驅體，采用熱絲化學氣相沉積法在襯底表面制備得到納米金剛石薄膜；其中，熱絲溫度在2000℃以上，襯底表面溫度在750～850℃之間，反應壓力為3000～6000Pa。