申請(qǐng)?zhí)枺?01510920190.3
　　申請(qǐng)人：中山大學(xué)
　　發(fā)明人：張彥峰 李蕓霄 陳鈺杰 王易 劉林 余思遠(yuǎn)

　　摘要：本發(fā)明涉及一種金剛石微透鏡陣列及其制備方法，其中所述制備方法包括以下步驟：a）在金剛石襯底上通過(guò)轉(zhuǎn)移或生長(zhǎng)的方法覆蓋一層硬掩膜；b）在硬掩膜上涂覆一層光刻膠；c）使用三維光刻膠曝光法或熱熔法產(chǎn)生光刻膠的微透鏡陣列；d）根據(jù)所需制備的微透鏡高度與直徑的比值，分別確定對(duì)硬掩膜和金剛石襯底進(jìn)行等離子體刻蝕的等離子體刻蝕參數(shù)，然后按照確定的等離子體刻蝕參數(shù)對(duì)硬掩膜層和金剛石襯底進(jìn)行等離子體刻蝕，得到金剛石微透鏡陣列。本發(fā)明提供的制備方法能夠制備出微透鏡高度與直徑及其比值任意可調(diào)的金剛石微透鏡陣列。 　　主權(quán)利要求：1.一種金剛石微透鏡陣列制備方法，其特征在于：包括以下步驟：a）在金剛石襯底上通過(guò)轉(zhuǎn)移或生長(zhǎng)的方法覆蓋一層硬掩膜；b）在硬掩膜上涂覆一層光刻膠；c）使用三維光刻膠曝光法或熱熔法產(chǎn)生光刻膠的微透鏡陣列；d）根據(jù)所需制備的微透鏡高度與直徑的比值，分別確定對(duì)硬掩膜和金剛石襯底進(jìn)行等離子體刻蝕的等離子體刻蝕參數(shù)，然后按照確定的等離子體刻蝕參數(shù)對(duì)硬掩膜層和金剛石襯底進(jìn)行等離子體刻蝕，得到金剛石微透鏡陣列。
　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石微透鏡陣列制備方法，其特征在于：所述在硬掩膜上覆蓋一層光刻膠后，先對(duì)光刻膠進(jìn)行烘烤，然后進(jìn)行步驟c）。
　　3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石微透鏡陣列制備方法，其特征在于：所述等離子體刻蝕參數(shù)包括等離子體刻蝕的氣體組分、流量、氣壓和功率。
　　4.根據(jù)權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的金剛石微透鏡陣列制備方法，其特征在于：所述硬掩膜為硅、氧化硅或者氮化硅中任一種。
　　5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金剛石微透鏡制備方法，其特征在于：所述金剛石襯底為單晶金剛石、多晶金剛石、非晶金剛石、微米晶金剛石和納米晶金剛石中任一種。
　　6.一種金剛石微透鏡陣列，其特征在于：使用權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的制備方法制備而得。
　　7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的金剛石微透鏡陣列，其特征在于：所述金剛石微透鏡陣列的微透鏡直徑在1微米至1毫米之間。
　　8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的金剛石微透鏡陣列，其特征在于：所述金剛石微透鏡陣列的微透鏡的高度為直徑長(zhǎng)度的1%到400%。