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官方微信摘要 名稱一種高溫碳化硅半導(dǎo)體材料制造裝置公開號1327092公開日2001.12.19主分類號C30B25/02&nbs
| 名稱 | 一種高溫碳化硅半導(dǎo)體材料制造裝置 | ||
| 公開號 | 1327092 | 公開日 | 2001.12.19 |
| 主分類號 | C30B25/02 | 分類號 | C30B25/02;C30B29/36 |
| 申請?zhí)?/strong> | 00109107.7 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 2000.06.07 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請人 | 中國科學院半導(dǎo)體研究所 | 地址 | 100083北京市912信箱 |
| 發(fā)明人 | 李晉閩;孫國勝;朱世榮;曾一平;孫殿照;王雷 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構(gòu) | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人 | 湯保平 |
| 摘要 | 一種高溫碳化硅半導(dǎo)體材料制造裝置，包括前級進樣室、樣品傳遞裝置、樣品生長裝置、插板閥和抽氣設(shè)備；其中樣品傳遞裝置、前級進樣室、插板閥和樣品生長裝置通過標準CF或標準VCR依序連接密封在一直線上；前級進樣室和樣品生長裝置的下方連接有一抽氣設(shè)備；本發(fā)明其是兼有高生長速率和原位及實時監(jiān)測的新型碳化硅寬帶隙材料的高真空制造裝置，能夠克服上述現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)缺陷，能夠滿足碳化硅器件對材料的要求。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號