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官方微信摘要 名稱碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導體元件公開號1237272公開日1999.12.01主分類號H01
| 名稱 | 碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導體元件 | ||
| 公開號 | 1237272 | 公開日 | 1999.12.01 |
| 主分類號 | H01L21/205 | 分類號 | H01L21/205 |
| 申請?zhí)?/strong> | 98801243.X | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1998.08.27 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權 | [32]1997.8.27[33]JP[31]230770/97 | |
| 申請人 | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 | 地址 | 日本大阪府 |
| 發(fā)明人 | 北∴真; 內(nèi)田正雄; 高橋邦方 | 國際申請 | PCT/JP98/03826 98.8.27 |
| 國際公布 | WO99/10919 日 99.3.4 | 進入國家日期 | 1999.04.27 |
| 專利代理機構 | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 楊凱; 葉愷東 |
| 摘要 | 在襯底1的碳化硅晶體生長表面1a中，一邊保持硅原子2相對于碳原子處于過剩狀態(tài)，一邊利用MBE法等使碳化硅薄膜進行外延生長。由此，可在低溫下以良好的再現(xiàn)性形成結晶性良好的碳化硅襯底。即使在1300℃以下的低溫下也能進行該生長，可形成高濃度摻雜膜·選擇生長膜·在六方晶體上的立方晶體碳化硅的生長膜。此外，在六方晶體上使立方晶體碳化硅實現(xiàn)結晶化時，進而使用向（數(shù)1）方向傾斜的偏移切割襯底對于防止孿晶的發(fā)生是有效的。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號