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電沉積金-碳化硅復(fù)合鍍層

關(guān)鍵詞 電沉積金 , -碳化硅 , 復(fù)合鍍層 |2010-12-21 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱電沉積金-碳化硅復(fù)合鍍層公開號85100021公開日1986.01.10主分類號C25D15/00

 

名稱 電沉積金-碳化硅復(fù)合鍍層 
公開號 85100021  公開日 1986.01.10 
主分類號 C25D15/00  分類號 C25D15/00;C25D3/48;H01H1/02 
申請?zhí)?/strong> 85100021 
分案原申請?zhí)?/strong>   申請日 1985.04.01   
頒證日   優(yōu)先權(quán)  
申請人 天津大學(xué)  地址 天津市南開區(qū)七里臺 
發(fā)明人 郭鶴桐; 王兆勇; 邱訓(xùn)高  國際申請  
國際公布   進(jìn)入國家日期  
專利代理機構(gòu) 天津大學(xué)專利代理事務(wù)所  代理人 張宏祥; 曲遠(yuǎn)方 
摘要   一種用于繼電器觸點的抗電侵蝕的耐磨復(fù)合鍍層,是用電鍍方法沉積在銅合金或其他金屬基體上.復(fù)合鍍層中彌散有占鍍層體積0.1-10%,粒徑小于0.5微米的SiC 微粒.這種金基復(fù)合鍍層具有比純金高的顯微硬度,低的摩擦系數(shù),接觸電阻略大于金,但低于金合金,并且耐電侵蝕性、抗腐蝕及抗變色能力強.這種Au-SiC復(fù)合鍍層可在含有SiC微粒的,氰化物的、酸性的及亞硫酸鹽的鍍金溶液中獲得.   
 

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